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“存儲是一個老實人的行業(yè)，只能老老實實的開發(fā)技術，取得成本優(yōu)勢。目前我們的技術毫無疑問是世界領先的?！苯鸩ㄗ孕诺乇硎荆坏╊I開的技術優(yōu)勢保持下去、擴展開來，就能彎道超車、熱刀切黃油，在行業(yè)競爭中形成降維打擊。

憑借豐富的行業(yè)經(jīng)驗和技術積累，領開半導體創(chuàng)始人兼CEO金波敏銳發(fā)現(xiàn)，NOR Flash是一個年產(chǎn)值40億美元的市場，保持著每年15%的增速，對初創(chuàng)企業(yè)空間較大?！捌涫袌龆x非常清楚，但核心技術多年來發(fā)展勢頭緩慢，長期沒有取得重大突破，即目前NOR的主流技術還是浮柵/ETOX，但ETOX浮柵技術小于45nm已經(jīng)沒有設計空間，達到了物理極限，導致行業(yè)技術進展五年來徘徊不前。同時，MCU E-Flash小于28nm在全球沒有解決方案?！?/p>

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但NOR Flash仍有其獨特價值。在技術路徑方面，NOR的非易失性、超高任意讀取速度、可片上執(zhí)行、寫入速度慢、和價格昂貴等獨特的特性決定了其不適合做大容量存儲。不過，當前系統(tǒng)的代碼存儲和預設信息存儲媒介成為對NOR的剛需，促使NOR Flash勢必會快速增長。

然而，存儲芯片作為“兵家必爭之地”，隨著多家半導體龍頭強化布局、大批中小企業(yè)爭相涌入，已形成較穩(wěn)定且競爭激烈的行業(yè)格局。但這并不意味著市場飽和、機會渺茫。

如今，通過集結“世界頂尖專家打造世界頂尖技術”以及數(shù)千萬元研發(fā)投入，領開半導體熬過了起步的艱難階段，達成了“從0到1”的發(fā)展目標，即將迎來產(chǎn)品市場化的爆發(fā)期。而在打造具有競爭力的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品并取得階段性成功背后，領開半導體的研發(fā)團隊功不可沒。

正是基于ATopFlash?技術的這些特點和性能優(yōu)勢，領開半導體才有了底氣“卡全世界的脖子”。而讓金波尤為自豪的是，作為技術研發(fā)的老兵，無論SONOS 2T1b還是ATopFlash?技術，他均是技術架構發(fā)明人。

搶抓機遇卡住“世界脖子”

無疑，半導體作為高科技行業(yè)，依靠核心技術突破才是正道。而憑借原創(chuàng)技術打造的核心優(yōu)勢，領開半導體在營收利潤和毛利率上有望處于“高位預期”，同時在行業(yè)價格競爭中更加富有彈性。這使得ATopFlash?技術相關項目容易受資本青睞，并成為上市公司優(yōu)先并購標的。

得益于全球半導體產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)調(diào)整后復蘇，存儲芯片市場正在持續(xù)向好。CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示，在AI服務器的強勁需求帶動下，2024年全球存儲市場規(guī)模達1670.00億美元，創(chuàng)出歷史新高。其中，NAND Flash市場規(guī)模696.00億美元，DRAM市場規(guī)模973.00億美元。

金波指出，“ATopFlash?技術還可以滿足端側AI芯片的更高需求。特別是高容量和高速讀取，接下來可以做不少文章”。正因如此，ATopFlash?技術很可能成為未來產(chǎn)業(yè)新產(chǎn)品的唯一技術選擇。

鑒于具有競爭力的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品以及專業(yè)過硬的團隊“齊聚”，領開半導體已經(jīng)制定了三大階級性的明確目標，即2026年打造全線產(chǎn)品，2028年嘗試登陸科創(chuàng)板，真正做到全球領先。

目前，在NOR Flash技術類型中，全球采用電荷陷阱技術的僅有英飛凌(Cypress)、普冉和領開半導體。金波指出，“英飛凌(Cypress)的MirrorBit技術方案采用45m單晶體管，是將電荷放置在兩個角落，但已達到物理極限不能再微縮，否則兩個電荷將觸碰在一起。而普冉的SONOS 2T1b技術源自于英飛凌(Cypress)授權，采用Memory+NMOS選擇管架構，可以做到40nm。但由于單位位節(jié)面積較大，只適用于低容量產(chǎn)品，并且由于NMOS選擇管的耐高壓特性，繼續(xù)微縮會直接影響晶體管可靠性，因此SONOS 2T1b技術繼續(xù)微縮性價比不高?！?/p>

目前，鑒于需求變化、技術路線和成本效益等考量，全球三大存儲芯片廠商相繼減產(chǎn)并退出NOR Flash，同時部分國內(nèi)和中國臺灣存儲廠商已經(jīng)占據(jù)行業(yè)主導地位。金波指出，在主流技術已到極限且無更先進的解決方案情況下，“卡全世界脖子的問題，就是我們的機會?！倍男判脑醋灶I開半導體ATopFlash?技術，這是滿足將來產(chǎn)業(yè)新產(chǎn)品唯一的技術選擇。

至于人才引進標準方面，在金波看來，具備真本事和強執(zhí)行力至關重要，好的結果往往源自于此。而這在內(nèi)部共同討論形成的核心價值觀和企業(yè)文化中有所體現(xiàn)，其中包括三項執(zhí)行力：做得出來，賣得出去；執(zhí)行力：沒有測量，沒有性能；執(zhí)行力：提前計劃&快速行動。

據(jù)悉，領開于2025年5月實現(xiàn)55nm出片技術驗證成功，并力爭在今年下半年實現(xiàn)新產(chǎn)品流片，從而成為行業(yè)嶄新的行業(yè)標桿。

專業(yè)過硬團隊“一馬當先”

相較Cypress SONOS 2T1b而言，ATopFlash?技術采用基于電荷陷阱機制的“雙存儲組對”架構，可以運用(但不局限于)先進的邏輯工藝平臺，且具有多重技術和性能優(yōu)勢。

據(jù)金波介紹，領開半導體規(guī)模雖然不算大，但已擁有15位專業(yè)過硬的研發(fā)人員，其中包括刷新過全球存儲芯片研發(fā)速度記錄的“行業(yè)大拿”，以及擁有30年以上的半導體行業(yè)產(chǎn)品研發(fā)和工程管理經(jīng)驗的外籍專家。與此同時，領開半導體還在不斷向海外知名企業(yè)和國內(nèi)一流大學伸出橄欖枝，“兩條腿走路”持續(xù)保持高層次人才濃度、世界級和旺盛活力水準。

其中，作為從業(yè)近三十年的行業(yè)老兵及領開半導體掌舵人，金波曾在多家半導體企業(yè)任職高管，在綜合管理、技術開發(fā)、生產(chǎn)線管理、晶圓行業(yè)經(jīng)驗和產(chǎn)業(yè)投資等方面具有一系列顯著成果，同時也是全球所有65nm以下獨立以及MCU嵌入式SRAM 6T cell通用架構的發(fā)明人。

如今，隨著半導體行業(yè)不斷深入發(fā)展，更多投資人開始關注這家實力不凡的初創(chuàng)企業(yè)。例如具有清華背景的飛圖創(chuàng)投連續(xù)領投兩輪。在領開半導體總部遷至寧波后，寧波天使投資引導基金、鎮(zhèn)海產(chǎn)業(yè)投資基金、甬股交的潤寧基金均以真金白銀給予支持，助力其企業(yè)規(guī)模不斷擴大、產(chǎn)品研發(fā)和市場推廣的后勁更加充足。

ATopFlash?技術的核心優(yōu)勢包括兩大成本優(yōu)勢。芯片的成本包含兩大部分，分子是晶圓價格/成本，分母是單位晶圓芯片顆粒數(shù)。首先，領開半導體的芯片單元存儲面積較同行小了近一半，意味著在一片晶圓上可以大幅增加芯片顆粒數(shù)。其次，制造工藝簡單。在芯片制造環(huán)節(jié)中，光罩通常占據(jù)不菲成本，而ATopFlash?技術的光罩經(jīng)實測僅需22層，大幅少于主流技術的30層。

“技術創(chuàng)新永無止境”，這是金波在半導體行業(yè)摸爬滾打多年體現(xiàn)出的重要信條和特征。因此，他以極大勇氣和信心創(chuàng)立領開半導體，決心將ATopFlash?技術從理念轉化為現(xiàn)實。

金波表示，“通常一項芯片技術需要5-10年的研發(fā)。但憑借厚積薄發(fā)，領開半導體在短短兩年之內(nèi)，已經(jīng)實現(xiàn)55nm技術驗證，同時40nm先導產(chǎn)品設計已完成80%，處于量產(chǎn)前夜階段。另外，存儲芯片是標準件芯片，具有相同的接口和操作命令，客戶可以即插即用，這使得具備核心技術和成本優(yōu)勢的ATopFlash?技術能實現(xiàn)快速推廣和起量，未來前景廣闊。”

對于其關鍵創(chuàng)新，金波闡釋道，ATopFlash?技術是NOR架構的全新突破，同時沿用了傳統(tǒng)的電壓控制而非MRAM/RRAM嘗試的電流控制。其物理機制是現(xiàn)在最新的電荷陷阱（Charge Trap，廣泛用于3D NAND），并通過多維創(chuàng)新，實現(xiàn)面積可以繼續(xù)微縮，并填補了嵌入式在28nm以下的真空。

第一，全世界最小的架構之一，比ETOX 的1T1bit小半個contact。第二，節(jié)省了一層 金屬層。第三，單一器件，使工藝更加統(tǒng)一&簡潔。第四，大幅提高讀取電流。第五，徹底避免了潛在的NMOS選擇管的可靠性問題。第六，微縮路徑僅受制于第一金屬層的間距大小，隨著工藝節(jié)點推進，進一步微縮的路徑通暢。

作為初始代碼的載體，NOR Flash被廣泛應用于各個智能化領域，包括主板BIOS、數(shù)字機頂盒、家庭網(wǎng)關、路由器、IoT、汽車電子、穿戴式設備、安防監(jiān)控等，并在人工智能、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術推動下加速增長。其中，NOR在智能穿戴、AMOLED屏、手機攝影、IoT設備、汽車電子、5G基站、增強現(xiàn)實、虛擬現(xiàn)實、AI用戶端等具備較大增長空間。

正如摩爾定律所揭示的，半導體行業(yè)的本質(zhì)在于持續(xù)的技術迭代，而創(chuàng)新正是推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心動力?；貧w初心，敢于創(chuàng)新、而非內(nèi)卷，掌握基礎核心黑科技才是硬道理。基于這一理念，領開半導體立足于從底層架構攻破行業(yè)壁壘，從而對NOR Flash進行顛覆性創(chuàng)新。金波認為，領開半導體是一家半導體技術公司，而不僅僅是一家芯片設計公司。隨著中國半導體制造水平的持續(xù)提升和國內(nèi)市場規(guī)模的快速擴張，過去五到十年間，國內(nèi)首批芯片設計企業(yè)實現(xiàn)了跨越式發(fā)展。但若未能掌握核心技術，企業(yè)終將面臨發(fā)展瓶頸，靠內(nèi)卷和壓榨供應鏈而取得的成本優(yōu)勢，不可持續(xù)。畢竟，依靠擠壓國內(nèi)供應鏈取得優(yōu)勢成本對中國半導體產(chǎn)業(yè)來說是一場零和游戲。

底層創(chuàng)新鑄就“六大優(yōu)勢”

在給企業(yè)命名時，金波便賦予了其愿景：領先潮流、開拓未來，以及使命：自主、自強和創(chuàng)新。在使命踐行方面，如今剛完成技術積累的領開半導體，已經(jīng)取得了17項國內(nèi)技術專利，另有多項專利正在申請中。而在此舉背后，金波堅信，中國的半導體肯定將成全世界第一，而專利注冊在國內(nèi)寓意著這是來自中國的“世界性創(chuàng)新”。同時，依托中國工程師的辯證思維天然優(yōu)勢，領開半導體將來也勢必能平穩(wěn)快速地“壯大”，從而站上世界之巔。

據(jù)悉，ATopFlash?技術是領開自有知識產(chǎn)權，獨立于工藝的非揮發(fā)性存儲芯片的底層設計架構的發(fā)明，可用于量產(chǎn)之 55/40/28nm以及擴展至FinFET 20/14/10/ 7nm 以下邏輯工藝制程，由于該技術對邏輯工藝包容度高，非常適合應用于嵌入式Flash IP。

眾所周知，存儲芯片行業(yè)競爭向來尤為激烈且格局已較穩(wěn)固，但“后來者總有機會”。

隨著人工智能、大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)等技術深入發(fā)展驅動存儲芯片復蘇增長，NOR Flash正呈現(xiàn)快速發(fā)展態(tài)勢。然而，多年來NOR Flash的核心技術已經(jīng)止步不前，且MCU E-Flash在28nm以下節(jié)點，全球尚未有可行的解決方案。針對這些關鍵痛點，領開半導體攜ATopFlash?技術橫空出世，從底層架構攻破行業(yè)壁壘，對NOR Flash進行顛覆性創(chuàng)新，推動產(chǎn)業(yè)繼續(xù)前進。

關鍵特性形成“降維打擊”

至于可靠性，ATopFlash?達到10萬次擦寫和十年數(shù)據(jù)保存的業(yè)界JEDEC標準，前期產(chǎn)品的溫度范圍為-40C–85C，滿足消費和工業(yè)應用。通過微調(diào)工藝和設計，將來可達125C車軌標準。

在NOR Flash技術類型中，ATopFlash?技術采用的是先進的電荷陷阱機制（目前廣泛應用于3D NAND），相比競爭對手的傳統(tǒng)浮柵機制具有多重技術和性能上的優(yōu)勢，該核心技術具備雙重成本優(yōu)勢：一是芯片存儲單元面積縮減約50%，使單位晶圓可產(chǎn)出芯片數(shù)量倍增；二是光罩數(shù)量減少近30%，顯著降低晶圓制造成本。這兩大優(yōu)勢共同提升了產(chǎn)品的市場競爭力。在打造具有顛覆性的優(yōu)質(zhì)技術并取得“0到1”的階段性成功背后，領開半導體專業(yè)過硬的研發(fā)團隊功不可沒。而通過集結“世界頂尖技術+世界頂尖專家”以及資本市場支持，領開半導體不斷對產(chǎn)品研發(fā)進行迭代，目前已將產(chǎn)品技術布局推進至量產(chǎn)前夜，并制定了三大階段性的明確目標，以呈現(xiàn)來自中國的“世界性創(chuàng)新”，并向真正做到全球領先持續(xù)邁進。

階段目標劍指“全球領先”

“除了執(zhí)行力，我們還看重是否注重團隊精神，是否篤信技術才是核心競爭力等?！彼f。